压阻式加速度传感器

单晶硅材料受到力的作用后，其电阻率（或电阻）就会发生变化，这种现象称为压阻效应。压阻式加速度传感器是利用固体的压阻效应制成的一种测量装置。压阻式加速度传感器利用单晶硅作为悬臂梁，在其根部扩散出四个电阻，当悬臂梁自由端的质量块受有加速度作用时，悬臂梁受到弯矩作用，产生应力，使四个电阻阻值发生变化。

产品描述

利用单晶硅作为悬臂梁, 在其根部扩散出四个电阻，当悬臂梁自由端的质量块受有加速度作用时，悬臂梁受到弯矩作用，产生应力，使四个电阻阻值发生变化。最小重量为6g，最大量程范围6000g。

恶劣环境、事故、碰撞测试、振动/ 冲击测试、航天航空、形态分析、机械设备、仪器运动控制

主要技术指标：

型号	灵敏度	量程	频率	尺寸	重量	供电
1B101	2mV/m·s^-2@10Vdc	20m·s^-2	0 ～ 150Hz(±5%)	29×26×12mm	36g	（8 ～ 16）Vdc
1B102	1.5mV/m·s^-2@10Vdc	50m·s^-2	0 ～ 250Hz(±5%)	29×26×12mm	36g	（8 ～ 16）Vdc
1B103	0.6mV/m·s^-2@10Vdc	100m·s^-2	0 ～ 400Hz(±5%)	29×26×12mm	36g	（8 ～ 16）Vdc
1B104	0.3mV/m·s^-2@10Vdc	200m·s^-2	0 ～ 600Hz(±5%)	29×26×12mm	36g	（8 ～ 16）Vdc
1B105	0.1mV/m·s^-2@5Vdc	500m·s^-2	0 ～ 1000Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc
1B106	0.05mV/m·s^-2@5Vdc	1000m·s²	0 ～ 1200Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc
1B107	0.04mV/m·s^-2@5Vdc	2000m·s^-2	0 ～ 1400Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc
1B108	0.02mV/m·s^-2@5Vdc	5000m·s^-2	0 ～ 2000Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc
1B109	0.008mV/m·s^-2@5Vdc	20000m·s^-2	0 ～ 4500Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc
1B110	0.005mV/m·s^-2@5Vdc	60000m·s^-2	0 ～ 5000Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc